ИЗВЕЩЕНИЕ

об открытом конкурсе на выполнение работ в 2005-2006  годах в рамках федеральной целевой научно-технической программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» на  2002-2006 годы  по приоритетному направлению «Индустрия наносистем и материалы» (X очередь)

 

 

Государственный заказчик / Организатор конкурса - Федеральное агентство по науке и инновациям (г. Москва, Тверская улица, д. 11, стр. 1).

 

 

 

ЛОТ 1

ИН-КП.1/004. Разработка конструкции ассимметричных наноразмерных гетероструктур и технологии изготовления сверхмощных лазерных матриц на их основе.

1.     Цель  работы:  обеспечение создания мощных полупроводниковых лазеров для обработки материалов, накачки твердотельных лазеров, термоядерного синтеза, а также создание самостоятельного продукта.

2.     Основные требования к результатам работы

2.1.                Технические требования:

2.1.1. Должна быть разработана конструкция ассимметричных наноразмерных гетероструктур со сверхнизкими внутренними потерями (< 1 см-1);

2.1.2. Должна быть разработана технология изготовления лазерных матриц квазинепрерывного режима работы мощностью более 3 кВт;

2.1.3. Конструкция наноразмерных гетероструктур и технология изготовления лазерных матриц должны обеспечивать высокую конструктивную и функциональную совместимость с типорядом изделий потенциальных заказчиков;

2.1.4. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Объединение в едином технологическом цикле изготовления полупроводниковых наноразмерных гетероструктур, лазерных кристаллов и конструктивных элементов должно обеспечить низкую себестоимость конечного изделия, а также конкурентоспособность на мировом рынке.

2.3. В процессе выполнения проекта должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3.     Содержание основных  работ

3.1. Разработка конструкции ассиметричных наноразмерных гетероструктур со сверхнизкими внутренними оптическими потерями.

3.2. Разработка технологии и технической документации изготовления полупроводниковых кристаллов и сборки лазерных матриц.

3.3. Разработка и изготовление технологической оснастки и специального испытательного оборудования для лазерных матриц.

3.4. Проведение комплексных мероприятий по приборному оснащению испытательных стендов и установок для сборки лазерных матриц.

3.5. Выпуск опытной партии лазерных матриц.

3.6. Проведение предварительных испытаний лазерных матриц.

3.7. Разработка, корректировка и утверждение технических условий.

3.8. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4.     Лимит бюджетного финансирования:   всего – 23,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год    10,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 1.7, 2.2, 2.3, 2.10).

5.     Объем средств из внебюджетных источников: всего – 7,5 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 4,0 млн. рублей.

6.     Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 2

ИН-КП.1/005. Разработка комплекта вакуумного технологического оборудования для разработки и производства приборов наноэлектроники на основе соединений Si-Ge и А3В5.

1. Цель работы: обеспечение отечественной  промышленности и исследовательских учреждений современными приборами на основе соединений Si-Ge и А3В5 для создания перспективных технологических разработок в области нанотехнологий.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Комплект технологического оборудования должен соответствовать современным требованиям к данному классу оборудования и обеспечивать на уровне, конкурентоспособном с импортными аналогами, выполнение комплекса технологических процессов, необходимых для разработки и производства приборов наноэлектроники на основе соединений Si-Ge и А3В5;

2.1.2. Комплект технологического оборудования должен состоять из: установки для электронно-лучевого напыления материалов; установки магнетронного напыления материалов; установки для плазмохимического травления; установки для нанесения диэлектрических пленок; установки для термического отжига;

2.1.3. Установка для электронно-лучевого напыления материалов должна обеспечивать: остаточное давление - не хуже 5·10-8 мм.рт.ст.; количество мишеней – не менее 5;

2.1.4. Установка магнетронного напыления материалов должна обеспечивать: остаточное давление - не хуже 5·10-7мм.рт.ст.; количество мишеней – не менее 2;

2.1.5. Установка для плазмохимического травления должна обеспечивать: остаточное давление - не хуже 5·10-7мм.рт.ст.; тип средств вакуумирования – химически стойкий;

2.1.6. Установка для нанесения диэлектрических пленок должна обеспечивать:  остаточное давление - не хуже 1·10-7мм.рт.ст.; тип средств вакуумирования – химически стойкий;

2.1.7. Установка для термического отжига должна обеспечивать: скорость нагрева - до 40 ºС/с;  диапазон температур -  200÷950 ºС;

2.1.8. Должны быть разработаны следующие технологические процессы производства полупроводниковых приборов наноэлектроники на основе соединений Si-Ge и А3В5:

- вакуумное напыление материалов для приборов на основе соединений Si-Ge и А3В5  с контролем толщины  не хуже ± 1 нм для электронно-лучевого метода и не хуже ± 20 нм для магнетронного метода;

- нанесение диэлектирических пленок в диапазоне температур от 150 до 400 ºС толщиной от 10 до 1000 нм;

  -термический отжиг контактов к GaN и GaAs (сопротивление контактов не хуже 0,8 Ом×мм для n-GaN и не хуже 0,1 Ом×мм для n-GaAs и Si).

2.2. Экономические показатели

Коммерциализация результатов проекта должна быть реализована в форме серийного выпуска всех разрабатываемых установок, сопровождаемого технологической документацией на технологические процессы.

2.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.4. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка конструкторской документации (КД) на образцы технологического оборудования.

3.2. Разработка технологий и технологической документации (ТД) для каждой единицы технологического оборудования.

3.3. Изготовление опытных образцов технологического оборудования

3.4. Проведение предварительных испытаний опытных образцов технологического оборудования и отработка параметров технологических процессов.

3.5. Корректировка КД и ТД по результатам испытаний.

3.6. Проведение комплексных мероприятий по приборному оснащению испытательных стендов и установок для производства приборов наноэлектроники на основе соединений Si-Ge и А3В5.

3.7. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4.  Лимит бюджетного финансирования: всего 43,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 10,5 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 1.7,2.2, 2.3, 2.10).

5. Объем средств из внебюджетных источников: всего - 15,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 3,5 млн. рублей.

6. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 3

ИН-12.6/005. Разработка метода сверхвысокой очистки аммиака на основе  каскадной низкотемпературной ректификации.

1. Цель  работы:  получение сверхвысокочистого аммиака  с содержанием основного вещества не менее 99, 99994%.

2 Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. В основу разрабатываемого метода должен быть положен принцип наращивания  производительности на основе технологических модулей;

2.1.2. Метод должен обеспечивать пожаро- и взрывобезопасность производства, минимальное количество отходов и соответствовать требованиям экологической безопасности.

2.2. Экономические показатели

 Разрабатываемый метод должен быть ориентирован на широкое применение в промышленности, а также быть конкурентоспособным на мировом рынке.

2.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.4. Достижение значений индикаторов по данному мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка метода сверхвысокой очистки аммиака на основе каскадной низкотемпературной ректификации.

3.2. Разработка эскизного проекта модульной конструкции технологического оборудования.

3.3. Разработки методики сертификации продукции.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 5,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 2,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.2).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 4

ИН-КП.3/002. Разработка технологии и оборудования для обеспечения  производства подложек нитрида галлия  приборов электроники и оптоэлектроники на основе широкозонных полупроводников.

1. Цель работы: создание опытно-промышленного  производства низкодефектных подложек нитрида галлия диаметром не менее 50 мм для выращивания на них эпитаксиальных структур на основе широкозонных полупроводников  приборов силовой электроники, лазерных диодов и мощных светодиодов видимого и ближнего ультрафиолетового спектральных диапазонов.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Должны быть разработаны технологические процессы и технологическое оборудование для опытно-промышленного производства подложек нитрида галлия с проводимостью n-типа;

2.1.2.   Технологические процессы и технологическое оборудование должны обеспечивать:

-  выращивание объемных кристаллов нитрида галлия;

-  резку объемных кристаллов на подложки заданной толщины;

-  шлифовку, полировку и финишную подготовку подложек для эпитаксии.

2.1.3. Подложки нитрида галлия должны иметь следующие параметры:

-  диаметр - не менее 50 мм;

-  плотность проникающих дислокаций - не более 106 см-2;

-  уровень легирования донорами, обеспечивающий концентрацию электронов - не менее 3×1017 см-2;

-  среднеквадратичную шероховатость эпитаксиальной поверхности - не более 3 нм на площади 5×5 мкм2;

-  отклонение от заданной ориентации поверхности - не более 0,5°;

-  отклонение от плоскостности - не более 25 мкм;

2.2. Экономические показатели

2.2.1. Разрабатываемые технологии и оборудование должны обеспечить конкурентоспособность производства по критериям цена/качество по сравнению с ведущими мировыми производителями подложек нитрида галлия.

2.2.2. К концу 2006 года должно быть освоено опытно-промышленное производство  подложек нитрида галлия, которое должно обеспечить потребности промышленности Российской Федерации на 20-25% .

2.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.4. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Проведение численного моделирования роста объемных кристаллов нитрида галлия с целью выбора оптимального способа выращивания, создания эскизного проекта ростового оборудования и адаптированного к нему ростового процесса.

3.2. Разработка конструкторской документации (КД) на образец технологического оборудования для выращивания объемных кристаллов нитрида галлия.

3.3. Изготовление опытного образца технологического оборудования для выращивания объемных кристаллов нитрида галлия.

3.4. Разработка технологии выращивания проводящих объемных кристаллов нитрида галлия и изготовление технологической документации (ТД).

3.5. Проведение испытания образцов технологического оборудования и корректировка КД и ТД по результатам испытаний.

3.6. Разработка технологий резки, полировки и финишной подготовки подложек нитрида галлия для эпитаксии.

3.7. Характеризация подложек из нитрида галлия, включая выращивание на них тестовых приборных эпитаксиальных структур.

3.8. Организация опытно-промышленного производства подложек нитрида галлия.

3.9. Проведение комплексных мероприятий по приборному оснащению испытательных стендов и установок производства подложек нитрида галлия.

3.10. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 20,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 10,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 1.7, 2.2, 2.3, 2.10).

5. Объем средств из внебюджетных источников: всего - 7,5 млн. рублей, в том числе на  2005 год –   4,0 млн. рублей.

6. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

 

ЛОТ 5

ИН-13.3/009. Создание  оптических фильтров  на основе кристаллов сульфатов элементов II-й группы.

1.     Цель работы: разработка технологических принципов и стадий технологического процесса выращивания оптически совершенных кристаллов, разработка оптической системы фильтров для  аналитической аппаратуры, приборов промышленной и медицинской диагностики.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Технические требования к оптическим фильтрам:

- термическая устойчивость – не ниже 95°С;

- размеры оптических элементов – до Æ50*15 мм3;

- коэффициент шумоподавления вне полосы пропускания – не хуже 10-14.

2.1.2. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.1.3. Новые технологические процессы должны быть основаны на общей научно-технической и технологической базе, аппаратно-программных комплексах и методах их использования.

2.2. Экономические показатели

         Разработанные технологические процессы и получаемые на их основе изделия должны быть конкурентоспособными на мировом рынке.

2.3. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Проведение исследований по выращиванию новых кристаллов сульфатов элементов II-й группы, измерение их свойств и выбор оптимального материала по сочетанию физических свойств, технологичности и цены.

3.2. Разработка оптической системы оптического фильтра УФ-диапазона.

3.3. Проведение прикладных разработок по получению оптически совершенных кристаллов.

3.4. Изготовление и испытание экспериментальных образцов кристаллов, оптических элементов и оптической системы.

3.5. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования:      всего - 10,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год. – 5,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 2.10).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

 

ЛОТ 6

ИН-КП.3/003. Разработка технологии нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния  для изготовления мощных электронных и оптоэлектронных приборов на нитридах алюминия  и галлия.

1.     Цель работы: обеспечение создания производства подложек, удовлетворяющих требованиям получения эпитаксиальных структур, применяемых в светодиодах и транзисторах.

2.     Основные требования к результатам работы

2.1.     Технические требования:

2.1.1. Разрабатываемый комплекс технологий должен обеспечивать качество нанополировки, удовлетворяющее требованиям получения эпитаксиальных структур, используемых для производства мощных светодиодов и транзисторов;

2.1.2.   Основные параметры нанополировки:

-   диаметр полированной поверхности –  не менее 50,8 мм;

-   шероховатость поверхности – менее 0,5 нм;

-   неплоскостность – менее 25 мкм.

2.1.3. Комплекс технологий должен включать:

-   нанополировку поверхности подложек;

-   финишную очистку с эпитаксиальным качеством поверхности подложек.

2.1.4. Однотипные технологические процессы нанополировки различных подложек  должны быть максимально унифицированы по применяемому технологическому оборудованию, оснастке и обрабатывающим материалам.

2.2. Экономические показатели

Качество нанополировки должно обеспечить высокий процент выхода годных при производстве эпитаксиальных структур для изготовления мощных светодиодов и транзисторов и, в итоге, их низкую себестоимость и конкурентоспособность на мировом рынке.

2.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.4. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка комплекса технологий нанополировки подложек оксида алюминия и карбида кремния.

3.2. Разработка конструкторской документации на унифицированную технологическую оснастку и ее изготовление.

3.3. Модернизация технологического оборудования.

3.4. Нанополировка опытных партий подложек, оценка их качества, процента выхода годных и экономических показателей технологического процесса.

3.5. Проведение комплексных мероприятий по приборному оснащению испытательных стендов и установок для нанополировки опытных партий подложек.

3.6. Выпуск технических условий.

3.7. Проведение предварительных испытаний и освоение комплекса технологий нанополировки в опытно-промышленном производстве.

3.8. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего – 25,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 5,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 1.7, 2.2, 2.3, 2.10).

5. Объем средств из внебюджетных источников: всего – 8,5 млн. рублей, в том числе на  2005 год     1,4  млн. рублей.

6. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 7

ИН-КП.3/004. Разработка технологий ядерного легирования  монокристаллов полупроводниковых соединений A3B5 .

1. Цель работы:  организация опытно-промышленного производства новых марок высококачественных легированных и полуизолирующих полупроводниковых материалов.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Разрабатываемые технологии должны обеспечивать получение высококачественных легированных различными примесями в широком диапазоне концентраций (1014 ¸ 5×1019 см-3) полуизолирующих монокристаллических пластин соединений A3B5  с достижением следующих параметров:

- однородность распределения свойств -   D<5% по объему кристалла;

- радиационная стойкость - не менее 1016 нейтр/см2;

- оптические характеристики (для полуизолирующего GaAs, при l = 10,6 мкм);

- коэффициент оптического поглощения - a = (5¸6)×10-3 см-1.

2.1.2. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Новые разработки и продукция на их основе должны быть ориентированы на массовое применение в различных отраслях промышленности, бытовых устройствах, на создание усовершенствованных измерительных приборов и быть конкурентоспособными на мировом рынке, обеспечивая одновременно импортозамещение в необходимых масштабах.

2.3.      В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка эскизного (технического) проекта получения ядерно-легированных  монокристаллических пластин соединений A3B5 .

3.2. Разработка конструкторской документации на создание опытной партии ядерно-легированных полупроводников.

3.3. Выпуск опытных партий ядерно-легированных  полупроводников по техническим условиям заказчика, исследование электрофизических, оптических и структурных характеристик, испытание в производстве различных приборов.

3.4. Проведение испытаний и  организация опытно-промышленного производства пластин ядерно-легированных полупроводниковых материалов. Выдача рекомендаций для тиражирования радиационных технологий на действующих промышленных ядерных реакторах.

3.5. Проведение комплексных мероприятий по приборному оснащению испытательных стендов и установок для производства пластин ядерно-легированных полупроводниковых материалов.

3.6. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 20,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 10,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 1.7, 2.2, 2.3, 2.10).

5. Объем средств из внебюджетных источников: всего - 7,2 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 4,0 млн. рублей.

6. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 8

ИН-13.3/010. Разработка технологии радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN.

1. Цель работы:  разработка опытной технологии получения радиационно-стойких квазиподложек GaN и AlGaN диаметром до 50 мм и толщиной до 150 мкм на основе  эпитаксиальных  радиационных методов.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Квазиподолжки GaN и AlGaN должны обладать повышенными: однородностью распределения свойств по объему материала (разброс не более 10%) и радиационной стойкостью (не менее 1016 нейтр/см2).

2.1.2. Разрабатываемая технология должна быть основана на едином  научно-техническом заделе и унифицированной технологической платформе. Основу технологии должны составлять российские разработки и технологическое оборудование.

2.1.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Разработка и освоение технологии радиационного модифицирования свойств перспективных широкозонных полупроводников должна обеспечить  существенное повышение конкурентоспособности на мировом рынке и снижение стоимости отечественных эпитаксиальных структур и приборов на основе  GaN, AlN и их твердых растворов.

2.3.  В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Создание экспериментальной установки для выращивания квазиподложек GaN и AlGaN.

3.2. Разработка и освоение технологии высокоскоростного осаждения пленок GaN и AlGaN.

3.3. Разработка технологии радиационного модифицирования свойств квазиподложек GaN и AlGaN на базе исследовательского ядерного реактора. Корректировка технологии выращивания с целью повышения радиационной стойкости материала.

3.4. Изучение характеристик и свойств получаемых радиационно-модифицированных квазиподложек GaN и AlGaN в зависимости от условий выращивания.

3.5. Выпуск опытной партии квазиподложек и их апробация в создании полупроводниковых многослойных структур.

3.6. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 10,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год - 5,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 2.10).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 9

ИН-12.1/014. Создание нового типа наноразмерных моноэнергетических источников электронов на основе упорядоченных углеродных наноструктур для приборов вакуумной электроники.

1. Цель работы: разработка  нового типа автоэлектронных катодов - точечных моноэнергетических источников электронов и матриц точечных когерентных источников электронов для  приборов вакуумной наноэлектроники,  СВЧ-устройств, микромашин и элементов  механики для нанотехнологий.

2.      Основные требования к результатам работы

2.1.      Технические требования:

2.1.1.   Разработанные способы должны обеспечить создание углеродных наноструктур с размером элемента не менее 5 нм для обеспечения моноэнергетичности электронного пучка с плотностью элементов матрицы до 1012 элементов/см2 и достижения когерентности эмитированных пучков электронов одиночных и матричных источников электронов при ускоряющих полях < 10 В/мкм.

2.1.2.   Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2.      Экономические показатели

Разработанные способы и созданные на их основе наноматериалы и изделия должны быть ориентированы на применение в высокотехнологичных отраслях отечественной промышленности и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

2.3.      В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемому мероприятию Программы.

3.   Содержание основных работ

3.1.      Разработка методами сканирующей зондовой нанолитографии углеродных наноструктур и создание основ технологии квантово-размерных твердотельных источников когерентного пучка электронов.

3.2. Изготовление опытных образцов точечных источников электронов и матриц когерентных точечных источников электронов; испытание их технических и эксплуатационных характеристик.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего – 6,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 3,0 млн. рублей (мероприятие Программы: 1.2).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 10

ИН-12.7/002. Изучение биосовместимости органических и кремниевых нанокластеров.

1. Цель работы:  изучение биосовместимости наночастиц на основе водонерастворимых и слаборастворимых органических соединений с контролируемыми свойствами импрегнации в ткани, а также кремниевых нанокластеров.

2. Основные требования к результатам работы.

2.1. Технические требования:

2.1.1. В результате работы должны быть разработаны методы:

- формирования наночастиц органических соединений из неводных растворов и проведены сравнительные исследования биосовместимости наночастиц в растворах и  тканях;

- создания фотоактивных материалов, состоящих из наночастиц кремния.

2.2. Экономические показатели

Разработанные методы и продукция на их основе должны быть ориентированы на массовое применение в медицине и быть конкурентоспособными на мировом уровне.

2.3.      В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемому мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1.        Разработка методов создания нанокластеров на основе водонерастворимых органических соединений.

3.2.        Проведение проблемно-ориентированных поисковых фундаментальных исследований по разработке методов получения фотоактивных наноструктур на основе кремния и изучению кинетики биосовместимости органических и кремниевых нанокластеров.

3.3.      Создание опытной аппаратуры для проведения фотодинамической терапии с помощью нанокластерных фотосенсибилизаторов.

4.       Лимит бюджетного финансирования: всего - 6,0 млн. рублей, в том числе в 2005 год - 3,0 млн. рублей (мероприятие Программы: 1.2).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 11

ИН-12.5/005. Разработка нанопористых композиционных  материалов, содержащих фуллереновую фазу, для создания нового поколения сенсоров и микрореакторов.

1. Цель работы:  создание нанокомпозитов на основе полупроводниковых и оксидных соединений, включающих фуллереновую фазу, для  разработки нового поколения сенсоров и микрореакторов.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Должны быть созданы нанокомпозиты, реализующие передачу энергии возбуждения матрицы нанокомпозита для получения возбужденных состояний молекул кислорода и других неорганических молекул;

2.1.2. Должны быть разработаны технологические принципы получения нанопористых композитов на базе полупроводниковых и оксидных соединений (в том числе оксид цинка, оксид алюминия, кремний, фосфид индия) с эффективностью преобразования энергии возбуждения не менее 10%;

2.1.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Разработанные материалы должны быть ориентированы на массовое производство и быть конкурентоспособны на мировом рынке.

2.3. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемому мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка методов получения наноструктурированных матриц с заданными параметрами на основе пористых полупроводниковых и оксидных материалов.

3.2. Отработка методов импрегнирования наноструктурированных пористых матриц молекулами фуллеренов С60 и С70.

3.3. Проведение комплексной диагностики эффективности каскадного преобразования энергии для разработанных нанопористых композитов.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего – 6,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 3,0 млн. рублей (мероприятие Программы: 1.2).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 12.

ИН-13.1/009. Разработка нанотехнологии и оборудования для синтеза многослойных пленочных структур  с трехмерной топологией на полупроводниковых подложках. 

1. Цель работы:  разработка опытной  технологии создания  элементов с трехмерной топологией на основе принципов самоорганизации и саморегулирования.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Разрабатываемая технология должна обеспечивать получение равномерных по толщине и сплошных пленок на подложках и удовлетворять следующим требованиям:

- скорость роста пленок - не ниже 150 нм/час;

- диаметр подложек – до 200 мм;

- температура нанесения слоев -  100 – 450оС;

- отклонение толщины пленки по площади подложки - менее 1,5 %.

2.1.2. Разрабатываемая технология должна обеспечивать равномерное пленочное покрытие поверхности подложки с глубоким рельефом, необходимым для изготовления элементов памяти, а также транзисторов с трехмерной топологией.

2.1.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Разрабатываемая технология должна быть ориентирована на массовое производство и быть конкурентоспособной на мировом рынке.

2.3.  В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемым мероприятиям Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка и оптимизация конструкции реактора технологической установки для синтеза  пленок методом молекулярного наслаивания.

3.2. Изготовление узлов и деталей  технологической установки.

3.3. Сборка и настройка вакуумной подсистемы установки.

3.4. Изготовление и настройка электронной подсистемы управления  установкой.

3.5. Отработка параметров работы установки и технологии синтеза многослойных пленочных структур с трехмерной топологией на полупроводниковых подложках.

3.6. Обеспечение охраны прав интеллектуальной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего – 12,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 6,0 млн. рублей (мероприятия Программы: 1.3, 2.10).

5. Объем средств из внебюджетных источников:  всего - 1,5 млн.рублей, в том числе на 2005 год  – 0,7 млн.рублей.

6. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

ЛОТ 13

ИН-12.1/015. Разработка материалов для создания сенсорных элементов устройств оптического контроля химических веществ.

1.     Цель работы: разработка принципов создания материалов для хемосенсорных элементов на основе органических рецепторных структур, позволяющих количественно определять наличие токсичных органических и неорганических веществ в жидких и газообразных средах, в том числе на основе  оптического контроля.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Разрабатываемые материалы должны обеспечить создание на их основе мультисенсорных систем для одновременного определения нескольких соединений;

2.1.2. Полученные материалы должны обеспечивать чувствительность сенсорных устройств, созданных на их основе, позволяющую  определять токсичные органические и неорганические соединения на уровне предельно допустимых концентраций;

2.1.3. Научно-технический задел по теме должен быть патентно-чистым по отношению к зарубежным странам и должна быть обеспечена правовая охрана интеллектуальной собственности на территории Российской Федерации и стран–конкурентов.

2.2. Экономические показатели

Разрабатываемые технологии должны быть ориентированы на массовое применение и быть конкурентоспособными на мировом рынке.

2.3. В процессе выполнения работы должны быть достигнуты заданные значения  индикаторов Программы, относящихся к реализуемому мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка методов получения исходных молекулярных систем и супрамолекулярных ансамблей на их основе, исследование оптических характеристик.

3.2. Разработка технологических принципов построения мультисенсорных систем для регистрации оптических сигналов и методов их обработки.

3.3. Разработка опытных образцов оптохемосенсорных материалов и мультисенсорных систем для количественного определения токсичных органических и неорганических веществ  в жидких и газообразных средах.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего – 7,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год – 3,0 млн. рублей (мероприятие Программы: 1.2).

5. Сроки выполнения: 2005-2006 годы.

 

 

УСЛОВИЯ КОНКУРСА

В конкурсе могут принимать участие юридические лица любой формы собственности, зарегистрированные на территории Российской Федерации.

По каждой теме подается отдельная конкурсная заявка по установленной форме. Текст конкурсной заявки представляется в печатной (оригинал и копия) и электронной форме. Электронная форма представляется на дискете 3.5" или СD в редакторе Microsoft Word 6,0 в формате rtf.

Характеристики каждой конкурсной работы определяются  заказчиком.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Комплект конкурсной документации по проведению открытого конкурса на право заключения государственного контракта на выполнение в 2005 – 2006 годах работ по приоритетному направлению «Индустрия наносистем и материалы» (X очередь) в рамках ФЦНТП  «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники» на 2002-2006 годы» размещен на следующих сайтах: fasi.gov.ru, goszakupki.ru. Заинтересованные организации могут также получить указанные документы в электронном виде на свою дискету по адресу организатора конкурсов. Контактные телефоны: 229-48-74 и 229-42-54.

 

Конкурсные заявки должны быть отправлены почтой (или доставлены нарочным) в запечатанном конверте с пометкой “На конкурс Федерального агентства по науке и инновациям” (с указанием лота, шифра и наименования темы конкурсной работы) с условием, что они будут получены экспедицией Агентства не позднее  17 часов 2 ноября  2005 года по адресу организатора конкурса.

 

Вскрытие конвертов с конкурсными заявками будет произведено после окончания срока их подачи в присутствии представителей участников конкурса, пожелавших принять участие в этой процедуре, 3 ноября 2005 года в 14 часов по адресу организатора конкурсов.

 

Итоги конкурса будут опубликованы в бюллетене Конкурсные торги”.